Patent

• [미국] Light emitting diode and light emitting diode package (발광 다이오드와 발광 다이오드 패키지) (ETRI), 08946762 (2015.02.03)

• 발광소자 (한대섭, 문용태, 심종인), 공개 10-2014-0024791

• 발광 소자 및 발광 소자 패키지, 공개 10-2014-0024791

• 발광소자 및 그 제조방법 (윤주선 엘지디스플레이)

• Light emitting device (발광장치),  09337383 (2016.05.10)

• [중국] Semiconductor optical amplifier against polarization (폴라리제이션에 대한 반도체 광증폭기)

• Polarization insensitive semiconductor optical amplifier (폴라리제이션 무감각한 반도체 광증폭기)

• Broad-band optical semiconductor device and a method for manufacturing the same (광폭 밴드 광 반도체 디바이스와 그 제조 방법 )

• Semiconductor Laser Diode Having Ridge (삼성전자)

• Method and Device for Measuring Internal Quantum Efficiency of an Optical Element (EtaMax)

• 프로그램 등록 (DOSA : Thermal Analysis), 171555

• 레이저 마킹 기술을 이용한 웨이퍼의 ＩＳＯ 패턴 형성 방법 및 전기광학특성 측정 시스템

• 광소자의 내부 양자 우물 효율을 측정하는 방법 및 장치 (Method and Apparatus for Measuring Internal Quantum Well Efficiency of LED), 10-1116840 (2012년 02월 08일)

• METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING INTERNAL QUANTUM WELL EFFICIENCY OF LED, 20110178770 (2011.07.21)

• TRPL해석에 기반하여 LED의 내부 양자 우물 효율을 측정하는 방법 및 장치 (Method and Apparatus for Measuring Internal Quantum Wall Efficiency of LED Based on TRPL(Time-resolved Photoluminescence) Analysis, 1020100138624 (2010.12.31)

• 반도체 광원 (SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE), 1020090103386 (2009.10.01)

• 전계흡수 광 변조기, 전계흡수 송수신기 및 이를 이용한원격 안테나 장치 (ELECTROABSORPTION MODULATOR, ELECTROABSORPTION TRANSCEIVER AND RADIO ANTENNA UNIT INCLUDING THE SAME), 1020090053510 (2009.05.27)

• 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 (Semiconductor laser diode and method of fabricatingthe same), 1008562810000 (2008.08.27)

• 멀티 표면광 레이저와 이를 이용한 광통신 시스템 (Multi surface emitting laser and optical communication system), 1020080065478 (2008.07.14)

• 산란부를 구비하는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 (Semiconductor laser element having scattering portion and manufacturing method thereof), 1020080048318 (2008.06.02

• *Distributed feedback semiconductor laser, 01304779 (2008.03.26)

• 레이저 광 모듈 (LASER MODULE), 1008006640000 (2008.01.28)

• 전류 분산 홀을 구비하는 발광 다이오드 (Light-Emitting Diode having current spreading hole), 1007659030000 (2007.10.04)

• 발광 다이오드 제작을 위한 시뮬레이션 시스템 및시뮬레이션 방법 (Simulation System and Simulation Method for Fabricating Light-Emitting Diode), 1007659020000 (2007.10.04)

• SEMICONDUCTOR LASER DIODE HAVING RIDGE STRUCTURE, 19227912 (2007.09.06)

• 리지 구조를 가지는 반도체 레이저 다이오드 (Semiconductor laser diode having ridge), 1020070084725 (2007.08.27)

• *발광다이오드 (LIGHT EMITTING DIODE) (소멸), 소멸 1007525890000 (2007.08.21)

• 비흡수 미러 구조를 가지는 반도체 레이저 소자 및 그제조방법 (Semiconductor laser device and method for manufacturing the same having structure of non-absorbing mirror), 1020070080695 (2007.08.13)

• 파장 잠김 방식의 광송신기와 그를 이용한 수동형광가입자 망 (MODE LOCKING OPTICAL TRANSCEIVER AND PASSIVE OPTICALNETWORK USING THE SAME), 1007034120000 (2007.03.28)

• 광대역 반도체 광소자 (BROADBAND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE), 1006895010000 (2007.02.23)

• *발광다이오드 및 그 형성 방법 (LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FORMING THEREOF), 1006875270000 (2007.02.21)

• DFB laser with monolithically integrated MMI and second harmonic generation, 01843437 (2007.10.10)

• 신호전달의 불확정성을 최소화하기 위한 배선 회로 (Line Circuit For Minimizing Uncertainty Of SignalTransfer), 1004435560000 (2004.07.28)

• *분포귀환형 반도체 레이저 (DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER), 1004295310000 (2004.04.19)

• Distributed feedback semiconductor laser, 06771681 (2004.08.03)

• *Distributed Feedback Semiconductor Laser and Its Manufacturing method, 15142772 (2003.05.16)

• 편광 무의존 반도체 광증폭기 (Polarization insensitive semiconductor opticalamplifier), 1003534190000 (2002.09.07)

• Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same, 05614436 (1997.03.25)

• *Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same, 05450437 (1995.09.12)

• *Distributed Reflection Type Semiconductor Laser, 05048214 (1993.02.26)